化学所在有机超高密度信息存储材料研究领域取得新进展(组图)
近日,《先进材料》 (Adv. Mater.,15 (22) ,1525-1529 )发表了化学所有机固体院重点实验室宋延林研究员等在有机超高密度信息存储薄膜研究领域取得的最新研究进展。该研究成果不仅得到审稿人高度评价,还被Adv.Mater.主编Esther Levy博士邀请为其姊妹期刊Adv. Functional Mater.撰写详细研究论文。而此前他们在《纳米技术》(Nanotechnology,13,6,733)发表的研究结果,得到了美国《技术研究新闻》(Technology Research News,Feb.26,2003)的关注和报道。
1996年起,宋延林博士等基于不同于国外研究思路的材料设计思想,从分子设计的角度出发, 设计合成一系列有特色的有机功能分子体系作为信息存储介质,先后与中科院物理所高鸿钧博士、北京大学电子系薛增泉教授等合作, 利用扫描探针实现纳米乃至分子尺度上的信息存储,其信息存储密度比国外同期报道的材料高1-2个数量级,在国内外引起广泛关注。前期研究成果曾分别入选“1997年中国十大科技进展”和“2001年中国基础研究十大科技进展”。
化学所科研人员在此前研究的基础上,设计合成了具有强电子给体和电子受体、物理化学性质稳定的有机分子N,N-Dimethyl-N’-(3-nitrobenzylidene)-p-phenylenediamine(DMNBPDA)并培养了其单晶;系统研究了DMNBPDA的薄膜生长特性, 并成功地在高定向裂解石墨(HOPG)的表面制备出规整排列的单分子膜,利用AFM和STM观测到该薄膜的分子图像;通过在STM针尖和HOPG衬底之间施加电压脉冲的方法,在DMNBPDA薄膜上实现纳米尺寸信息点的写入,信息点平均直径达1.1nm, 对应信息存储密度>1013bits/cm2,并具有信息存储薄膜表面信息存储区域具有低阻抗,而非存储区域是高阻抗,该结果具有良好的重复性和稳定性。他们还用杂化HF/DFT 理论(Hybrid Hartree-Fock/density-functional-theory )计算了DMNBPDA 分子间电荷转移的可能性,为研究存储机理提供了理论依据。
图1 通过STM针尖在DMNBPDA薄膜表面施加电压脉冲形成的
由九个信息点组成的字母“y”,信息点平均直径1.1 nm
图2 DMNBPDA薄膜信息存储前后的局域I-V特性曲线
I)未记录区 II)记录区
图3 DMNBPDA薄膜的典型STM图象
图4 杂化HF/DFT 理论(Hybrid Hartree-Fock/density-functional-theory )计算的DMNBPDA 分子最高占有轨道(HOMO)和最低空轨道(LUMO)
(有机固体院重点实验室供稿)
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