在国家自然科学基金委、科技部、中科院的大力支持下，化学所有机固体院重点实验室刘云圻研究员、朱道本院士和他们的研究生，与胶体、界面与化学热力学院重点实验室韩布兴研究员、刘志敏副研究员合作，在碳纳米管场效应晶体管的研究方面取得新进展，有关研究成果申请了中国发明专利并发表在国际材料学术期刊先进材料(Advanced Materials (2006, Vol.18, No.2, p181-185)上。
　　场效应晶体管是薄膜型结构，其中绝缘层的介电常数、致密性和厚度对晶体管的性能影响较大。通常使用的二氧化硅绝缘层的介电常数较低（3.9）,而氧化铝不但介电常数高（8.6-10），还具有低渗透性、高热稳定性等优点。但至今还没有氧化铝作为栅极绝缘层包覆一维纳米材料的实验报道，主要是因为氧化铝熔点非常高，无法采用常规技术制作氧化铝绝缘层。为此，他们利用超临界流体技术（Adv. Mater., 2004, 16, 350； 2005, 17, 217）简单、高效地将氧化铝不连续地包覆在碳纳米管表面（图1），并利用聚焦离子束 (FIB) 直接观察选择合适的带绝缘层的碳纳米管，并在裸露的碳纳米管两端原位沉积Pt电极作为源、漏电极，在包覆有氧化铝绝缘层的区域沉积Pt电极作为栅电极，制备了场效应晶体管（图2）。由该技术制备的氧化铝绝缘层的漏电流很小，在室温下碳纳米管具有明显的场效应现象，调控器件所需的栅极电压较通常结构的场效应晶体管低，且在一块电路版上的每个器件能分别通过专有的栅电极操控。