在国家自然科学基金委、科技部以及中科院的支持下，化学所分子纳米结构与纳米技术院重点实验室的研究人员在有机电荷转移复合物一维纳米结构材料的制备与形成机理研究方面取得重要进展，研究成果发表在近期出版的Adv. Mater. (2008, 20, 4879－4882)上。

    有机电荷转移复合物具有准一维导电性，超导性和电双稳性等特性。目前有机电荷转移复合物的研究已经成为国际上一个非常活跃的领域，对它的研究已经越来越引起科学界的重视。然而，目前对有机电荷转移复合物的研究主要集中在通过培养出具有不同电子给、受体的单晶来考察成分、晶体结构对复合物性质的影响。近年来，如何通过特殊的技术，有效的控制有机电荷转移复合物的尺寸大小以及生长方向，使其形成纳米尺度的线、管和棒等结构，从而有利于构筑基于机电荷转移复合物的电子学器件，研究尺寸效应对其性质的影响成为人们高度关注的问题。

    在前期的工作中，化学所科研人员提出一种通过电致结晶在多孔氧化铝（AAO）模板中制备有机电荷转移复合物一维纳米结构的新方法，并且利用该方法成功制备出(BEDT-TTF)₄[H₂O×Fe(C₂O₄)₃]×C₆H₅NO₂ 纳米管阵列（Adv. Mater., 2006, 18, 2753）。

在上述工作的基础上，该课题组利用纳米孔道模板在形貌控制方面的优势，结合简单的浸渍法实现了快速、低成本制备形貌均一、尺寸可控的CuTCNQ单晶纳米线阵列。并且发现在受限的纳米尺度空间中，CuTCNQ晶体的生长具有在宏观尺寸下不同的新奇特征。为了解释这一现象，他们采用交流阻抗谱和直流极化谱分析并证实了CuTCNQ晶体具备Cu离子传导能力，并在此基础上提出一种新的生长机理来描述CuTCNQ晶体纳米线的生长过程，即CuTCNQ晶体纳米线的生长主要依靠晶体对Cu离子的传导进行化学传质而在顶端生长。

(a) CuTCNQ纳米线阵列的扫描电镜照片；(b) CuTCNQ纳米线长出AAO孔道后形成的微米级晶体的扫描电镜照片；(c) CuTCNQ晶