English  |  中国科学院
   
首页  研究生教育 党建工作
现在位置:首页 > 新闻动态 > 科研进展
化学所探索制作高集成度(纳米级)电子器件新途径
2005-06-01 | 编辑:clone | 【 】【打印】【关闭

在国家自然科学基金委、科技部、中科院的大力支持下,化学所有机固体院重点实验室朱道本院士、刘云圻研究员与胶体、界面与化学热力学院重点实验室韩布兴研究员、刘志敏副研究员合作,在碳纳米管-半导体纳米球异质结构研究领域取得新进展,有关研究成果发表在近期的 Advanced Materials (2005, Vol.17, No.2, p217-221)

电子器件组成单元的微小化是现代技术发展的基本特点。采用传统的“由上至下”光刻技术,想获得更小的器件尺寸、更高的集成度已越来越困难,而且工艺日趋复杂,制作成本大幅上升。因此,探索“由下至上”路线,利用纳米粒子、纳米管、纳米线制作纳米级电子器件已经越来越被大家重视。使用纳米管线组织、连接纳米粒子,对于制作更高集成度的纳米器件具有十分重要的意义。

  该研究利用超临界流体技术(Adv. Mater., 2004, 16, 350-352. J. Phys. Chem. B, 2004, 108, 13074-13078. 上报导了相关研究成果)大量制备串珠状多壁碳纳米管-半导体纳米球异质结构,方                                    法简便,纳米球直径可控,产物容易分离和纯化。经SEM, TEM, EDX, XRD, XPS等表征确认结构,半导体纳米球直径均一,沿碳纳米管轴向分布,形状如串珠。他们利用单根的这种异质结构制作了Schottky二极管,研究了其电子传输性能,伏安特性表现出明显的整流行为,开启电压为0.5 V,整流比为70 (±2.5 V)。这种串珠状多壁碳纳米管-半导体纳米球异质结构,将可用于制作高集成度纳米功能器件。

(ab) 串珠状碳纳米管-半导体纳米球异质结构;(c) 利用单根异质结构制作的Schottky二极管

 

                                       有机固体院重点实验室

                                     200561

 

 

中国科学院化学研究所 地址:北京市海淀区中关村北一街2号 邮编:100190
电话:010-62554001 010-62554626 传真:010-62559373 010-62569564
京ICP备05002796号 京公网安备110402500016号