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化学所研究人员成功构筑大面积电荷转移复合基有序纳米结构阵列
2008-09-26 | 编辑:lidan | 【 】【打印】【关闭

在国家自然科学基金委、科技部和中科院的大力支持下,化学所有机固体院重点实验室的研究人员在构筑大面积有序纳米材料阵列的研究方面又取得了新的进展。

近年来电荷转移复合盐纳米材料在许多方面表现出潜在应用前景。构筑大面积、形貌和尺寸可控的电荷转移复合物纳米结构阵列是该领域研究的热点之一。

近年来,有机固体院重点实验室的科研人员通过控制有机固-液反应,实现了有机电荷转移盐CuTCNAQ纳米线和纳米墙阵列的大面积可控生长(10cm2),对其生长机理进行了详细研究,并发现了它们是一类综合性能优异的场发射阴极材料。他们还利用电场诱导生长和两相界面生长技术分别获得了大面积电荷转移复合物κ-(BEDT-TTF)2Cu(SCN)2TTF-TCNQ纳米线,并通过自组装实现了基于氧化锌和寡聚PPV的核-壳结构无机/有机杂化纳米棒大面积阵列的构筑(4cm2)。由于该类核-壳结构是p-n异质结构,每一根纳米棒都是一个p-n结,因此具有优良的p-n结效应。通过与美国乔治亚大学王中林教授合作,研究了ZnO-OPV纳米棒阵列的压电性能,并证明了该体系具有优良的压电性质。

这些研究对功能有机材料在纳米尺度下的大面积有序生长具有指导意义,相关的研究结果分别发表在Adv. Mater. 2008, 20, 309-313, J. Phys. Chem. C, 2007, 111, 3544-3547 , Nanotechnology 18, 495704 Nano Lett, 2008, 8(1), 203-207

 

 

大面积的CuTCNAQ纳米线和纳米墙及其场发射性能、κ-(BEDT-TTF)2Cu(SCN)2纳米棒阵列

 

 

                                                              有机固体院重点实验室

                                                                 2008年9月25

 

 

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