单晶不仅能揭示材料的本征性能，同时也是构筑高性能器件的最佳选择之一，因此近年来受到人们的广泛关注。如果能在微纳晶的基础上直接构筑器件，就能实现对材料的高效表征，同时也将促使有机晶体与器件的融合，推动其应用。

在中国科学院、国家自然科学基金委、国家科技部的支持下，化学所有机固体院重点实验室在此前CuTCNQ单晶纳米材料控制合成（J. Am. Chem. Soc.2005, 127, 1120-1121; Adv. Mater. 2005, 17, 2953－2957）的基础上，结合物理气相传输生长高质量有机单晶的经验（Adv. Mater. 2006, 18, 65－68），以物理气相传输和原位化学反应相结合的方法，大面积生长了CuTCNQ的单晶纳米带。并以此为契机，与微电子所刘明研究员等合作，发展了一种构筑有机纳米器件和纳米器件阵列的方法。器件的测试结果证明：隶属于相I的这种CuTCNQ单晶纳米带表现出半导体的特性，这为CuTCNQ开关和存储机理的进一步研究打下了基础。有关研究结果发表在近期《美国化学会志》(J. Am. Chem. Soc. (2006, 128, 12917-12922)上。

   CuTCNQ单晶纳米带与纳米器件阵列

     在有机固体材料的研究中，p-型有机半导体得到了广泛的研究，n-型有机半导体因为在空气中稳定性较差而研究较少。化学所有机固体院重点实验室在此前p-型CuPc单晶纳米带和单晶晶体管研究的基础上 （Adv. Mater. 2006, 18, 65－68），采用空气中稳定的n-型有机半导体，F₁₆CuPc作为研究对象，开展了其纳米化、纳米晶体管的研究。他们采用物理气相传输法，控制得到了F₁₆CuPc的单晶纳米带，通过选区电子衍射和粉末XRD相结合的方法确认F₁₆CuPc单晶纳米带并非象传统认为的沿着b轴生长，而是沿着与b轴成一定的夹角